• UK
  • US
  • Français
  • Deutsch
  • Español (precios €)
  • Portugal
  • Polski
  • 日本人
  • 中國傳統
  • 简化中国

分析

漏减
  • 3種方式定義在綫和離綫泄露數據。
  • 在綫或脫機消除按比例縮放的漏電描記綫,包括電容瞬態。
  • 使用一套動態鉗制模型將電流鉗制中的特定在綫泄露减去。

測量繪圖

Signal中趨勢和測量繪圖功能對在綫和離綫記錄數據生成測量結果圖。對每個選定的幀,都從單個或多個事件中獲得測量結果幷繪製成XY曲綫。典型的例子包括生成IV曲綫和測量多個動作電位。

分析皮層中與一個快速成峰的中間神經元
相連的錐體細胞的配對記錄†


曲綫對照

將數學函數與原始數據或漏减後的數據以及趨勢圖進行對照。

  • 對照類型包括:

    • 指數曲綫,第一級或第二級
    • 高斯曲綫,一或二
    • 多項式曲綫,第一到第五級
    • 形(波爾茲曼)曲綫
  • 給出最佳的對照係數和置信度估計。
  • 在趨勢圖中顯示對照係數。

 

指數曲綫對照多條描記綫

†數據由倫敦藥劑學院Afia Ali博士提供

Cambridge Electronic Design Limited

在英國註冊: 00972132

註冊辦事處:

  • Cambridge Electronic Design Limited,
  • Technical Centre,
  • 139 Cambridge Road,
  • Milton,
  • Cambridge CB24 6AZ
  • ENGLAND.

VAT: GB 214 2617 96

生產者註冊號: WEE/BD0050TZ

銷售條款和條件

對於我們的美國客戶,我們可以提供W-8BEN稅表,該表將我們標識為英國公司.

DUNS: 219151016
CAGE/NCAGE: KB797
NAICS: 423490
商品編號
Hardware: 84716070
Software: 85235190
×

通过电子邮件:

info@ced.co.uk

通過郵遞:
  • Cambridge Electronic Design Limited,
  • Technical Centre,
  • 139 Cambridge Road,
  • Milton,
  • Cambridge CB24 6AZ
  • ENGLAND.
通過電話:

(Int.+44) (0)1223 420186

來自北美:

1 800 345 7794

×